“但离子源的结构非常复杂，制作成本很高。”
“除此之外，相对比硅基芯片，使用铝离子注入碳化硅进行制造形成N-漂移层还有一个很大的问题。”
“那就是碳化硅晶体的原子密度比硅大，要达到相同的注入深度，离子注入工艺需要离子具有更高的注入能量。”
“哪怕是有专业的注入仪器，需要的电压强度一般也要达到350KeV，高的甚至要求700KeV以上。”
“而且还需要达到一千两百度以上的高温。”
“否则注入深度无法达到要求，无法形成稳定可用的N-漂移层。”
“更关键是，相比较单纯的硅晶体，碳化硅晶体里面掺入了碳原子。”
“而铝离子在通过强能量注入晶体中是还会破坏碳原子的分子键，从而导致成品出现瑕疵。”
“离子注入制造碳化硅芯片的工艺太难，成本太高，这也是碳化硅晶体比单硅晶体更优秀却没有得到广泛应用到集成芯片上的原因之一。”
“当然，大家如果对‘离子注入’这个名字很陌生的话，那换个名字，你们应该就很熟悉了。”
他这样一说，直播间里面的观众顿时好奇了起来，纷纷询问是什么。
看着弹幕，韩元笑了笑，接着道：
“粒子加速器！”
闻言，直播间里面顿时就热闹了起来。
【粒子加速器！】
【好家伙，主播要造这个吗？】
【粒子加速器和粒子碰撞机还是有区别，后者更浪费钱。】
【那个老牛吃嫩草，晚年
第一百八十四章：离子注入(3/5)