过程很感兴趣，发送弹幕各种询问着。
【这不是硫酸铝和硝酸铝溶液吗？怎么变成铝离子了？】
【话说硝酸和铝反应不是会在铝的表面形成一层致密的氧化膜吗？有氧化膜的铝，即便是铝粉，也不能算铝离子吧？】
【加热，通电，这样就可以将铝离子注入到碳化硅里面了吗？】
【浓硝酸才会形成氧化膜，稀硝酸不会。】
【应该是通过硫酸和硝酸侵蚀碳化硅吧？】
【我在想，芯片也可以这样搞吗？】
【这种离子掺杂的方式，能在碳化硅底层形成稳定的N-漂移层吗？具体能注入到多少毫米？】
..........
看到询问的弹幕，韩元笑了笑，解释道：“要将其符合侵蚀注入要求的铝离子注入到碳化硅材料中并不是一件简单的事情。
“离子注入即便是在现代化工业中也需要特定的工艺和设备来进行处理。”
“其原理是用100keV级的高能将需要注入的离子加速后将其射入到材料中。”
“而离子束中的离子与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，逐渐损失能量，最后停留在材料中。”
“最终引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。”
“集成芯片基本都是采用‘离子注入’这种技术来处理硅基底的。”
“一般来说，硅晶材的N-漂移层都是用铝离子来做的，以前使用最广泛的离子源使用铝金属微波离子源来作为离子束。”
第一百八十四章：离子注入(2/5)